Durante la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, Samsung presentó su hoja de ruta estratégica para superar los límites de rendimiento y eficiencia que exige la infraestructura de Inteligencia Artificial y computación de alto rendimiento (HPC). Para ellos presentaron los módulos zHBM y zNAND-O.
zHBM y zNAND-O: Samsung presenta sus nuevas memorias para la IA
El anuncio principal en el FMS 2026 fue la presentación de los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O. La arquitectura zHBM rompe con el esquema convencional al apilar la memoria HBM directamente de forma vertical sobre las aceleradoras IA en lugar de colocarla a los lados. Mediante una avanzada tecnología de unión de oblea, zHBM promete multiplicar por ocho el rendimiento frente a HBM5, incrementar la densidad de memoria en más de 10 veces, reducir el consumo eléctrico a un tercio y disminuir la resistencia térmica a la mitad. Además, su diseño modular permitirá integrar IP personalizada en la capa intermedia según las necesidades de cada cliente.
Por su parte, zNAND-O se perfila como una solución NAND de ultra-baja latencia y alta capacidad orientada a entornos de Edge AI, desarrollada en versiones de 4 y 8 capas para ofrecer un gran procesamiento en tiempo real.
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Samsung ya había marcado en su calendario la llegada de sus módulo V10 BV-NAND (Bonding V-NAND), la primera memoria de la industria en superar los 400 capas. Gracias a su nueva arquitectura de enlace entre obleas de celdas, V10 incrementa la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% en comparación con la generación anterior (V9), ofreciendo mayores velocidades de lectura, escritura e E/S con un consumo eléctrico optimizado.
El catálogo de Samsung se complementó con muestras avanzadas de memorias HBM4E, diseños de HBM5 y la solución LPDDR5X-PIM, pionera en incorporar tecnología de procesamiento dentro de la propia memoria para reducir el tráfico de datos y el consumo del sistema.
De esta manera, Samsung quiere seguir un gran protagonismo en el área de memorias y almacenamiento para la próxima generación. Os mantendremos informados
